台积电提供7 nm和5 nm制造工艺，性能得到改善

据国外媒体报道，台积电悄然推出了可改善7 nm深紫外线和E-UV 5 nm DUV（N7）制造工艺（N5）性能的版本。
该公司的N7P和N5P技术专为需要7纳米设计，运行速度更快或能耗更低的客户而设计。
新的TSMC N7P工艺使用与N7相同的设计规则来优化前端（FEOL）和中端（MOL）。这使得在相同功率或相同频率下为10％。
尽管据报道台积电在今年在日本举行的VLSI研讨会上首次披露了相关信息，但尚未广泛披露。
N7P使用深紫外光刻（DUV），与N7相比，已进行了测试以降低晶体管密度。
要求晶体管密度在18％到20％以上的台积电客户将使用N7 + N6工艺技术。
其中，N6工艺技术使用紫外线光刻（EUV）分为几层。
此外，台积电的下一个主要节点是N5（5nm），具有更高的密度，更高的功耗和性能。这提供了称为N5P的性能改进版本。
这项技术使用FEOL和MOL优化技术，以相同的功率将芯片的运行速度提高了7％，将相同的频率提高了15％。